نیمههادیهای SiC و GaN؛ نسل جدید الکترونیک قدرت
مقدمه
یکی از بزرگترین تحولات صنعت الکترونیک قدرت،نسل جدید الکترونیک قدرت نیمههادیهای SiC و GaN جایگزینی نیمههادیهای سنتی سیلیکونی با فناوریهای جدید SiC و GaN است.
SiC چیست
کاربید سیلیسیم مادهای است که نسبت به سیلیکون معمولی مزایای فراوانی دارد:
-
تحمل دمای بالاتر
-
تلفات کمتر
-
سرعت سوئیچینگ بیشتر
-
راندمان بالاتر
GaN چیست
نیترید گالیوم نسل جدیدی از نیمههادیهاست که امکان ساخت تجهیزات کوچکتر و سریعتر را فراهم میکند.
کاربردها
خودروهای برقی
افزایش برد خودرو و کاهش زمان شارژ.
منابع تغذیه
کوچکتر شدن آداپتورها و شارژرها.
مراکز داده
کاهش مصرف انرژی و تولید حرارت.
مزایا نسبت به سیلیکون
| ویژگی | سیلیکون | SiC/GaN |
|---|---|---|
| راندمان | متوسط | بسیار بالا |
| دما | محدود | بالا |
| سرعت | متوسط | بسیار زیاد |
| ابعاد | بزرگتر | کوچکتر |
آینده نیمههادیهای قدرت در اروپاپروژه Moore4Power
اروپا برای کاهش وابستگی به واردات تراشهها پروژه بزرگ Moore4Power را راهاندازی کرده است.
اهداف پروژه
-
توسعه نیمههادیهای قدرت
-
افزایش تولید داخلی
-
حمایت از خودروهای برقی
-
توسعه صنایع انرژی
اهمیت استراتژیک
بحرانهای زنجیره تأمین در سالهای اخیر نشان داد وابستگی بیش از حد به تولیدکنندگان خارجی میتواند خطرناک باشد.
حوزههای تحقیقاتی
-
SiC
-
GaN
-
الکترونیک قدرت
-
سیستمهای ذخیره انرژی
-
شارژرهای فوق سریع
نتایج مورد انتظار
-
کاهش هزینه تولید
-
افزایش رقابتپذیری اروپا
-
رشد اشتغال
-
توسعه فناوریهای سبز
